铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层,同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比,存储容量提高约 50%,写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品,这是目前容量最高的 NAND 芯片。

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