缪论-财商观点:半导体频遭美国封锁 中国需要突围吗?

近期,写了一些文章关于半导体美国如何封锁中国。外部的压力巨大,中国要如何面对?突破封堵是唯一的出路吗?其实有很多观点是如何突破美国封堵,取得技术的方法,无非就是如何打擦边球,绕过制裁获取相关技术,可是这无疑是被动挨打的状态,即便阶段性地解决了问题,可是那将是我们中国最终的出路吗?

几年前在中国采访的时候,也有采访一些中国高科技基地。也对目前中国的半导体过分依赖国外技术提出过疑问。我记得询问负责人如何追上更精密制程半导体7纳米半导体技术,就中国当时的能力,也只有最高16nm的制程水平,而且是台积电南京厂的制程,关键技术并不掌握在中国这边。

当时,负责人和我提出了另外一个全新的概念:我们为什么要追随别人的步伐?最好的成绩也只是追上别人,难道就可以沾沾自喜了吗?只有自己开创一个新的标准才是出路,而开创新标准的前提就是取得技术绝对领先,而这部分不可能发生在已成熟的技术领域,而瞄准正在开发的领域才是正解……那么正在开发的领域又有什么是我们可以突破的点呢?且看下面的分析。

这也是我今天想与大家聊的主题,中国真的需要突围美国的封锁吗?现在我们就来聊聊。

困境:

首先来简述一下目前中国半导体业面临的困境。在硬件方面,与荷兰的DUV, EUV光刻机相比,我们的自主能力还有很大差距,主要设备都需要依赖进口。在软件方面,美国占据绝对统治地位,我们更受制于国外EDA的使用权。在设计架构方面,英国的ARM框架更是全世界超过95%的智能手机和平板电脑都采用的架构。在封装技术方面:台积电和三星几乎垄断了世界所有的产能,自然其技术的累积是他们保证良率的制胜法宝。在原料技术方面,日本也是垄断着很多专利。可以说,今天的半导体技术是由各个国家合作生产的,而现在美国为首的保护主义抬头,过去正常的合作,现在都变得不那么容易了。这就是中国面临的问题!

而我们中国目前拥有成熟的半导体制程也能达到28nm。今天最新消息,美国更禁止了中国EDA高精制程3nm的使用权。可以说外部环境对中国来说非常严峻。令人鼓舞的是,最近,中国华为突破技术瓶颈制作出了自主的7nm芯片,虽然差距还是存在的。

突破:新材料半导体

最初国人是悲观的,确实从表面上来看,中国真正自主的部分落后国外很多,所以很多的贴文都是表述如何绕开制裁获取别人的技术,但这不是长久之计,也绝不是最终的目标!那么契机又在哪里呢?目前,半导体以“硅”为载体的晶片架构已经快接近其瓶颈,虽然在这个部分,中国落后很多,可是在很多替代“硅”的新材料方面的研究,中国却不见得落后。

目前,第三代半导体碳化硅晶体管和氮化镓晶体管的研发相对较为成熟,可实现高压、高温、高频、高抗辐射能力,这无疑为更高运算的需求提供了可扩展的空间。据悉,中国在此领域也布局已久,目前的新能源汽车、人工智能的大量运算需求以及5G技术都要仰赖此类型新材料,而过去的“硅”自身的极限很快将到尽头。这或意味着之前国外在某些领域领先的技术也将告一段落!那么中国是否迎来了突破的机遇?

正确了解自身优势 正视与他人的差距

我并不觉得今天的美国对中国的封锁完全是因为所谓的意识形态的不同,说白了,半导体高科技领域从来就是大国之间博弈的核心点。想想当初的日本广场协议,同样是美国逼迫日本签下的城下之盟。而今天的美国,同样希望压制中国的发展,这符合他们的国家利益!

结语:

今天的中国不可能像日本那样,40年的人才与知识的储备,世界工厂这么多年培养了过硬的工业生产能力,雄厚的资金与世界第二大市场吸引了全球人才来中国。这所有的一切也正是中国此次博弈的底气所在。

现在,中国需要突围!但更需要开辟出属于出自己的路!我看好中国半导体业的发展!

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