三星发表全球首款3奈米晶片

07/25/2022

韩国三星电子今天发表全球首款3奈米晶片，比竞争对手台积电抢先一步。韩国官员承诺，政府将在构建半导体生态系统方面提供全方位支援。

韩联社报导，三星电子（Samsung Electronics Co.）今天在京畿道华城厂区内的极紫外光（EUV）专用V1生产线，举行了适用新一代闸极全环电晶体（Gate-all-around，GAA）技术的3奈米晶片产品出厂纪念活动。

据报导，韩国产业通商资源部长李昌洋、三星电子DS本部长庆桂显、以及员工和合作商有关人士共100多人出席了这场活动。

三星电子上月底才宣佈全球首款基于GAA技术的3奈米工艺半导体产品投入量产。3奈米工艺是半导体製作工程中最为尖端的製程技术，三星电子为超越台积电和英特尔（Intel）等竞争对手，率先推出该技术。

与此前使用鳍式场效电晶体（FinFET）的晶片相比，这项新产品采用晶片面积更小、电耗减少、性能提升的GAA技术，在技术层面意义重大。

三星电子自2000年代初期开始啟动GAA技术研究，2017年将其用于3奈米製程，近期投入量产。三星电子晶圆代工事业部表示，将以创新技术迈向全球最高顶点。

三星电子将首次把3奈米GAA工艺用于高速运算（HPC），并计画与主要合作商携手将其扩至系统单晶片（SoC）等多种产品群。