國產5G通信基站芯片通過認證

　　圖：在2018中國國際應用科技交易博覽會上GaN功率放大器芯片對外亮相\大公報記者方俊明攝

(美國商業新聞網)援引【大公報訊】記者方俊明廣州報道：隨著國內外電信運營5G服務紛紛鋪開，5G角逐不斷加速。10日揭幕的2018中國國際應用科技交易博覽會上，國產5G通信基站GaN（氮化鎵）功率放大器芯片，在中國發明成果轉化研究院展區對外亮相。

擬明年推出 打破國外壟斷

據透露，由中國科學院精英等高端人才組成的本創微電子團隊，历經3年技術攻關，擁有工藝結構、封裝結構多項專利，已完成多款關鍵GaN功率放大器芯片設計，並已獲中電集團客戶認證成功。5G-Sub6G基站所需的GaN芯片產品計劃明年推出，將可全面滿足中國5G通信基站對射頻功率放大器的需求。有業內專家指出，未來最大數據率料達每秒10Gbit，不僅人們之間相互快速通信，汽車、設備乃至生產機器人都將加入到網路中，屆時物聯網（IOT）、工業4.0或無人駕駛汽車都可實現「實時無線電通信」，不僅可靠而且可望更加廉價。

GaN是第三代半導體的代表材料，採用GaN的微波射頻器件目前主要用於軍事領域及4G/5G通訊基站應用場景。出於軍事安全的考量，國外就高性能的「氮化鎵」器件實行對華禁運。因此，發展自主GaN射頻功放產業，對於打破國外壟斷具有重要的意義。中國發明成果轉化研究院有關負責人表示，在5G時代下，GaN將在無線通信和國防領域大展拳腳，以其功率／效率水平和高頻性能，在高性能無線解決方案中發揮關鍵作用。